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Electric field-induced resistance changes at low temperature on a Cr_2O_3/ultra-thin (La, Sr)MnO_3 magnetic hetero structure

机译:Cr_2O_3 /超薄(La,Sr)MnO_3磁性异质结在低温下的电场感应电阻变化

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摘要

We have investigated the relationships between electric field-induced resistance change and the magnetic properties of the Cr2O3/ultra-thin La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) magnetic hetero structure. The LSMO with a thickness of 40 nm has two transition temperatures, the ferromagnetic Curie temperature of 312 K and the spin-glass temperature of 180 K. Resulting from the magnetic properties, the exchange interaction in the Cr2O3/LSMO behavior below 180 K differed from that below 312 K. With the application an electric field on the Cr2O3 gate, the resistance of LSMO film was changed. This resistance change is most likely due to the magnetic state of LSMO and the interface interaction between the Cr2O3 and LSMO film
机译:我们研究了电场引起的电阻变化与Cr2O3 /超薄La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)磁性异质结构的磁性之间的关系。厚度为40 nm的LSMO具有两个转变温度,铁磁性居里温度312 K和自旋玻璃温度180K。由于磁性,在180 K以下的Cr2O3 / LSMO行为中的交换相互作用不同于低于312K。通过在Cr2O3栅极上施加电场,改变了LSMO膜的电阻。这种电阻变化很可能是由于LSMO的磁性状态以及Cr2O3和LSMO膜之间的界面相互作用

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